Informationen zu DDR6, GDDR7 und HBM3 von Samsung

Samsung zeigte im Rahmen der Tech Day 2021 der DDR5-Speichermodule mit 6.400 MT/ und gab bekannt, dass hier eine Übertaktung auf bis zu 8.400 MT/s möglich wäre. Diese sind noch nicht bestätigt, da sie sich noch in der Entwicklungsphase befinden. Es ist jedoch davon auszugehen, dass sie im späteren Leben des DDR5-Speichers zu sehen sein werden.Dazu gab es neue Informationen zu DDR6, GDDR7 und HBM3 Speicher.

Informationen zu DDR6

Das Unternehmen sprach auch über den DDR6-Standard, der angeblich doppelt so schnell wie DDR5 sein wird. Der neue DDR6-Standard befindet sich noch in der frühen Entwicklungsphase, man weiß nur, dass die Anzahl der Speicherkanäle pro Modul gegenüber DDR5 um das Doppelte auf vier Kanäle erhöht wird. Auch die Anzahl der Speicherbänke erhöht sich auf 64. Zusätzlich zu DDR6 für Desktop- und Serveranwendungen arbeitet das Unternehmen auch an Low Power DDR6 (LPDDR6) für mobile Anwendungen. Während der LPDDR5-Speicher des Unternehmens Anfang 2022 mit dem 1a-nm-Verfahren in die Serienproduktion geht, befindet sich LPDDR6 noch in der frühen Entwicklungsphase.

Die Basisgeschwindigkeit für DDR6-Module wird angeblich bei 12.800 MT/s liegen, während Übertaktungsmodule bis zu 17.000 MT/s erreichen sollen. Die für Smartphones/Notebooks ausgelegte LPDDR6-Version soll ebenfalls mit Geschwindigkeiten von bis zu 17.000 MT/s aufwarten.

Informationen zu GDDR6+ und GDDR7

Als nächstes sprach Samsung über seine Speicherangebote für Grafikkarten, bei denen GDDR und HBM ins Spiel kommen. Der neue GDDR-Standard, der kommen soll, ist GDDR6+, der die Geschwindigkeit von 18.000 MT/s auf 24.000 MT/s steigert. Der Knoten der Wahl für GDDR6+ wird 1z nm sein und Samsung will hier noch diesen Monat mit der Herstellung dieser Module beginnen. Die Roadmaps des Unternehmens zeigte auch, dass der GDDR7-Standard den GDDR6+ ablösen soll und Raten von 32.000 MT/s erreichen wird. Mit GDDR7 wird es auch eine neue Funktion namens "Echtzeit-Fehlerschutzfunktion" geben, die noch unbekannt ist. Vermutlich handelt es sich um eine Form von ECC für GDDR oder etwas Ähnliches.

Informationen zu HBM3

Darüber hinaus erwähnte das Unternehmen, dass sein HBM3-Speicher im zweiten Quartal 2022 für die Massenproduktion bereit sein wird, mit Geschwindigkeiten von 800 GB/s. Dieser Speicher wird hauptsächlich auf KI-Anwendungen ausgerichtet sein, und Samsung arbeitet mit Partnern zusammen, um neue Lösungen mit HBM3 auszustatten.