Samsungs 40-Gbps-GDDR7 kriegt die höchste Auszeichnung, während SK hynix mit 48 Gbps lockt

Mit 3-Gigabyte-Speichern können Anbieter gängige VRAM-Ziele von 12 GB, 16 GB, 24 GB mit saubererem Channel-Routing und weniger Bauteilen erreichen, was das PCB-Design und die Stromversorgung vereinfachen kann. Da 28-Gbps-Bauteile bereits in Serie produziert werden, sind diese Chips die praktische Wahl für kurzfristige Produkte wie die gemunkelte Aktualisierung der GeForce RTX 50 „SUPER”-Serie von NVIDIA, bei der eine gesicherte Lieferung entscheidend ist. Mit den 40-Gbps-3-GB-Chips von Samsung, die sich derzeit in der Testphase befinden, ist das Unternehmen für einen zweiten Schritt bereit, sobald die Ökosysteme für höhere Signalgeschwindigkeiten ausgelegt sind.

SK hynix strebt 48 Gbps an

Samsung ist nicht das einzige Unternehmen, das nach mehr Bandbreite strebt. SK hynix wird auf der ISSCC 2026 einen 24-Gb-GDDR7 mit 48 Gbit/s vorstellen, der eine symmetrische Dual-Channel-Architektur und aktualisierte interne Schnittstellen nutzt. Die Geschwindigkeitssteigerung ist erheblich: 28 Gbit/s → 48 Gbit/s erhöht die Bandbreite pro Chip von 112 GB/s auf 192 GB/s, was eine Steigerung von über 70 % bedeutet. Dieser Spielraum kommt gerade recht, da GPUs auf breitere Raytracing-Pipelines, größere Frame-Puffer für Path-Traced-Grafiken und schwerere KI-/Creator-Workloads angewiesen sind, die die Speicherkanäle auslasten.

Mit Samsungs 28 Gbps in Massenproduktion, 36–40 Gbps in der Testphase und SK hynix' 48 Gbps für 2026 beschleunigt sich die Entwicklung von GDDR7 erheblich und sollen trotz Chipkrise den Markt vorantreiben.