DDR6 DRAM 1delta Bild © Wccftech,MicronDDR6 DRAM 1delta (Bild © Wccftech,Micron)

Der kommende 1-Delta-Knoten ist der Nachfolger der 1-Gamma-Technologie. Dieser Node zeichnet sich durch eine Prozesssteuerung im Angström-Bereich und die Integration fortschrittlicher HKMG-CMOS-Technologie aus. Zu den wichtigsten technischen Aspekten des 1-Delta-Knotens gehören:

  • Bitdichte: Eine prozentuale Verbesserung der Bitdichte im mittleren 20er-Bereich im Vergleich zum 1-Gamma-Knoten.
  • Fertigung: Die Produktion wird sich auf die Vereinigten Staaten konzentrieren, wobei sich die Technologie derzeit in der Ausbeute-Anlaufphase befindet.
  • Skalierungspfad: Micron konzentriert sich auf die 6F2-DRAM-Skalierung, da das Unternehmen festgestellt hat, dass der 4F2-Pfad aufgrund von Komplexität und Kosten nicht mehr realisierbar ist.
  • Zukünftige Integration: Dieser Knoten bildet die Grundlage für HBM5, vHBM, vEIM, DDR6 und LPDDR6.

Mit Blick auf die fernere Zukunft umfasst die Roadmap den Übergang zu 1-Epsilon unter Verwendung von Wafer-Bonding, gefolgt vom Zeta-A-Knoten unter Einsatz von High-NA-EUV sowie dem Eta-A-Knoten. Das ultimative Ziel ist die Realisierung von 3D-DRAM, bei dem Zellen vertikal gestapelt werden, da planare Zellen an atomare Grenzen stoßen.

DDR6, LPDDR6 und RDIMMs mit hoher Kapazität

Die Speicherprodukte der nächsten Generation sieht bei Micron eine erhebliche Steigerung der Bandbreite und Energieeffizienz vor, um vor allem die KI-Inferenz und Workloads in Rechenzentren zu berücksichtigen.

DDR6 und LPDDR6

  • DDR6: Dieser Standard ist für hochzuverlässige Serveranwendungen konzipiert und bietet mehr als die doppelte Bandbreite von DDR5.
  • LPDDR6: LPDDR6 richtet sich sowohl an mobile Geräte als auch an Rechenzentren und bietet im Vergleich zu LPDDR5 eine Verbesserung der Energieeffizienz um über 35 %. Micron arbeitet derzeit mit Meta zusammen, um LPDDR6 in zukünftige Rechenzentrumsarchitekturen zu integrieren.

Micron DRAM Roadmap NAND RAMMicron DRAM Roadmap NAND RAM (Bild © Wccftech,Micron)

RDIMMs mit hoher Kapazität

Zur Unterstützung großer KI-Datensätze entwickelt Micron aktuell Module mit extrem hoher Speicherdichte und geht dabei von den zuvor angekündigten Kapazitäten von 512 GB zu RDIMM-Speichermodulen mit 1 TB über. Das wäre brachial, wenn man bedenkt, dass aktuell eher 32 oder 64 GB pro Modul gängig sind. Was die Module dann kosten werden, steht auf einem ganz anderen Blatt geschrieben und wir rechnen hier mit Preisen von Kleinwagen.

Micron HBM RoadmapMicron HBM Roadmap (Bild © Wccftech,Micron)

High Bandwidth Memory (HBM) und vertikale Architekturen

Die HBM-Roadmap durfte natürlich auch nicht fehlen. Die folgenden Entwicklungen werden dabei genannt:

Standard- und kundenspezifisches HBM

Micron entwickelt sich über HBM3E (8H und 12H) hin zu HBM4. HBM4 wird voraussichtlich noch 2026 auf den Markt kommen, wobei die Serienfertigung für 36-GB-Stacks anlaufen soll. HBM4 wird eine Bandbreite von etwa 2,8 TB/s pro Stack bieten. Kundenspezifische Basis-Die-Optionen ermöglichen die Integration von Rechenlogik und Kernspeicherlogik.

Micron HBM FeaturesMicron HBM Features (Bild © Wccftech,Micron)

Vertikales HBM (vHBM) und vEIM

Eine Neuerung sind die vHBM (Vertical 3D HBM), bei denen der Speicher direkt auf dem Rechenchip gestapelt wird, wie es bei AMDs 3D-V-Cache auch der Fall ist. Dies minimiert den Pfad vom Speicher zum Rechenchip und erhöht die Token pro Watt sowie die Gesamtbandbreiteneffizienz.

Parallel dazu entwickelt Micron vEIM (Vertical Edge Inference Memory) mit dem Ziel einer Bandbreite von 2 TB/s pro Modul bei einem Energieverbrauch von unter 1 pJ/Bit. Diese vertikalen Lösungen werden hybrides Kupferbonden und thermisch optimierte Designs nutzen, um die Wärmeverteilung über den PHY zu steuern.

Micron G11 NANDMicron G11 NAND (Bild © Wccftech,Micron)

G11-NAND-Flash und 400-Layer-Skalierung

Auch NAND ist Micron’s Kerngeschäft und so geht Micron über die G9-Generation hinaus zur G11-Generation über. Die Serienproduktion des G11-NAND soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2027 anlaufen. Zu den technischen Spezifikationen des G11-NAND gehören:

  • Layeranzahl: Mehr als 400 Lagen.
  • Bonding-Technologie: Nutzt Wafer-on-Wafer-Bonding.
  • Dichte und Geschwindigkeit: Bietet etwa die doppelte Bitdichte des G9-NAND und eine 1,5-fache Steigerung der E/A-Geschwindigkeiten.
  • Energieeffizienz: Reduziert den Energieverbrauch pro Datenübertragung um mehr als 25 %.

Die Entwicklung nach G11 wird sich auf Materialien mit hoher Mobilität und extrem dichte Zellarchitekturen konzentrieren, um energieeffiziente Datenpfade weiter zu verbessern.

Dies sind nur die wichtigsten Erkenntnisse aus der Roadmap und zu den jeweiligen Technologien, werden, wie gewohnt, einzelne Mitteilungen zur gegebenen Zeit erscheinen, z.B. sobald die Serienreife erreicht wird oder in den Earning Calls für Aktionäre. Auch wenn die Neuerungen sehr schön und positiv erscheinen, der harte Fokus auf Rechenzentren lässt Konsumenten weiter in den Hintergrund rücken und damit werden keine geringeren Preise vom RAM und NAND zu erwarten sein. Es ist eine wirklich traurige Situation, die eigentlich auch Firmen betreffen sollte.