CXMT beginnt die Risikoproduktion von LPDDR6-Speichermodulen

Das ist ein Fortschritt gegenüber dem LPDDR5X-Standard, der unter extremen Übertaktungsbedingungen maximal 10,7 Gbit/s erreichte. Die Basisbetriebsgeschwindigkeit für den neuen LPDDR6-Standard beginnt bei 10,7 Gbit/s. Zu den Hardware-Spezifikationen dieser Module gehört eine Kapazität von 16 Gb, was 2 GB entspricht. Die Speicher-ICs sind in einem „Package-on-Package“-Gehäuse (POP) untergebracht und nutzen ein Ball-Grid-Array mit etwa 1.295 Pins.

Produktionszeitplan und Validierung

Derzeit beschränken sich die Aktivitäten auf Testläufe im Rahmen der Risikoproduktionsphase. Diese Phase dient als Vorstufe zur Serienfertigung (High-Volume Manufacturing, HVM), die in der Regel nach mehreren Wochen oder Monaten der Tests folgt. CXMT verteilt derzeit LPDDR6-Muster an Kunden zu Validierungszwecken. Angesichts des aktuellen Stands der Bau- und Fertigungsinfrastruktur des Unternehmens gehen Branchenanalysten davon aus, dass der Übergang zur vollständigen Serienfertigung innerhalb weniger Wochen erfolgen könnte.

Im Vergleich dazu hat SK hynix LPDDR6-Module auf Basis des 10-nm-Knotens der sechsten Generation (1c) angekündigt, die eine Kapazität von 16 Gb und Geschwindigkeiten von bis zu 14,4 Gbit/s bieten. Während die Spezifikationen des südkoreanischen Herstellers höhere Höchstgeschwindigkeiten angeben, bleiben sowohl CXMT als auch SK hynix innerhalb der von JEDEC festgelegten offiziellen Richtlinien. Mit der Weiterentwicklung der Fertigungskapazitäten und der Halbleitertechnologie werden weitere Steigerungen der Speichergeschwindigkeit erwartet.