SK hynix bietet 321-Layer-UFS-4.1-4D-NAND-Flash für Smartphones

Da die Branche zunehmend auf KI-gestützte mobile Computer umstellt, müssen Speicherlösungen nicht nur eine hohe Leistung bieten, sondern auch einen optimierten Energieverbrauch und eine kompakte Bauweise aufweisen. Das neue UFS 4.1-Modul von SK hynix erfüllt alle drei Anforderungen. Im Vergleich zu seinem Vorgänger mit 238-Layer-NAND bietet das neue Design eine um 7 % höhere Energieeffizienz.

Die 0,85 mm Dicke des Moduls, gegenüber 1 mm bei der Vorgängergeneration, gewährleistet die Kompatibilität mit den heutigen ultraschlanken Smartphone-Gehäusen. Trotz der Verkleinerung bietet das neue UFS 4.1 branchenführende sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von 4.300 MB/s, die schnellsten, die in der aktuellen Generation von Universal Flash Storage gemessen wurden. Darüber hinaus wurden die zufälligen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, die für die Reaktionsfähigkeit von Echtzeitanwendungen und Multitasking von entscheidender Bedeutung sind, um 15 % bzw. 40 % verbessert.

SK hynix plant, die Serienlieferungen im ersten Quartal 2026 zu beginnen. Der UFS 4.1 wird mit 512 GB und 1 TB Speicherkapazität angeboten. Das Unternehmen arbeitet außerdem daran, seine 321-Layer-NAND-Innovation auf SSD-Produkte für den Verbraucher- und Rechenzentrumsmarkt auszuweiten und damit seine Position als Komplettanbieter von AI-fähigen Speichern zu stärken.