Auf dem „High-K Gate-First“-Prozess basierend soll die neue Methode einen einfachen und schnellen Weg zum Wechsel auf 32nm und „High-K/Metal Gate“-Technologie eröffnen. Bei der Siliziumplanartechnologie wird das Gate als erstes platziert (Gate-First). Anhand der Position des Gates können Drain und Source ohne Umstände korrekt platziert werden (self-alignment). Das einzige Problem bei dieser Herstellungsvariante stellt die Dotierung der Source/Drain-Gebiete dar, da dies bei Temperaturen erfolgt, die den bisherigen Polysilizium-Gates nichts ausmachte, bei einem Metal Gate ist das jedoch problematisch. Intel wich deswegen bei der Produktion der Penryns/Yorkfields auf die Gate-Last-Herstellung aus. IBM ist es jedoch anscheinend gelungen, dieses Problem zu umgehen.

Die neuen 32nm-Produkte sollen für Chips von mobilen Geräten bis hin zu starken Server-Prozessoren eingesetzt werden. Wenn alles nach Plan läuft, wird der 32-nm-Prozess ab der zweiten Jahreshälfte 2009 einsatzbereit sein. Intel plant den Umstieg auf 32nm jedoch auch für Ende 2009.

IBM's 32-nm-SRAM-Testchip mit High-K/Metal Gate und SOI


Gegenüber der 45-nm-Technologie soll der Schrumpffaktor der Chips bei bis zu 50% liegen. Durch die „High-K/Metal Gate“-Technologie erhofft IBM sich im Betrieb eine Energieeinsparung von ca. 45%. Somit soll dies für die Prozessoren Luft für Leistungssteigerungen von bis zu 30% bieten. Zur Demonstration zeigte man eine SRAM-Zelle, deren Größe dank des 32-nm-Prozesses unterhalb von 0,15µm² liegt.

Somit kann man darauf hoffen, dass AMD spätestens Ende 2009 einige neue starke Prozessoren präsentiert, die auch für Spieler ansprechend sind und AMD mal wieder Gewinn einbringen. Deswegen sind wir alle gespannt, ob AMD die Zeit bis dahin übersteht und die neuen 32-nm-Prozessoren ein Erfolg werden.


Quelle: Computerbase.de