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Samsungs Phase Change Speicher Produktion läuft

Eigentlich war der Anlauf der Produktion bereits für Juni geplant, musste jedoch leider verschoben werden. Die gute Nachricht: Im Moment läuft sie in vollem Gange. Die Rede ist von Samsungs neuartigem Phase Change RAM (PRAM), was man in etwa mit Phasen Wechsel Speicher übersetzen könnte. Mit diesem neuartigen Speicher will man laut Samsungs Sei-Jin Kim vor allem im Handy und Smartphone Segment erfolgreich werden, natürlich vorerst bei den eigenen Modellen.

Bei dem neuen nicht volatilen / nicht flüchtigen Speicher kommt als Material ein Chalkogen zum Einsatz, welches den Zustand wechselt - kristallin und amorph, also nicht fest. Damit will man eine Geschwindigkeit erreichen, die bis zu 30 mal höher ist, als die von NOR oder NAND Speichern. Gleichzeitig ermöglicht man bis zu 10 mal mehr Schreibzyklen, bevor die Chips versagen.   Sei-Jin Kim sagte außerdem, dass man sich von dem neuen PRAM eine Steigerung der Effizienz erhoffe und man damit rechnet, dass es in Zukunft eines der Kernbereiche von Samsungs Speicherabteilung werden könnte. Der erste 512 Mbit PRAM Chip wurde im 60 nm Verfahren gefertigt und ist in der Lage, 64 Kilowords (KW, also 64 x 1024 Wörter) in gerade einmal 80 Milisekunden zu löschen, was 10 mal schneller als herkömlicher NOR Flash Speicher ist. In Segmenten von 5 MB wird er vermutlich ca. 7 mal schneller sein.   Wir bleiben also gespannt, ob sich diese Möglichkeit von Samsung in Zukunft durchsetzen wird. Ein Schritt in die richtige Richtung ist es allemal!   Quelle: tcmagazine.com


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