Micron HBM4 Grafikspeicher Bild © MicronMicron HBM4 Grafikspeicher (Bild © Micron)

Microns nächster Schritt, HBM4E, bringt eine strategische Wendung mit sich: Der Basis-Logikchip wird von TSMC hergestellt und umfasst sowohl Standardteile als auch angepasste Varianten. Der Weg der Anpassung zielt auf eine engere Integration mit den Silizium- und Verbindungsanforderungen der Kunden ab, und Micron erwartet, dass diese maßgeschneiderten Basis-Dies größere Bruttomargen erzielen werden. Das Unternehmen geht davon aus, dass HBM4E um das Jahr 2027 verfügbar sein wird, was mit dem erwarteten Zeitfenster für die KI-Beschleuniger der nächsten Generation übereinstimmt.

Auf der kommerziellen Seite berichtet Micron, dass sich sein HBM-Marktanteil in diesem Quartal dem Gesamtanteil von DRAM annähert. Micron hat Preisvereinbarungen für den Großteil seiner HBM3E-Lieferungen im Kalenderjahr 2026 abgeschlossen und verhandelt jetzt über HBM4-Spezifikationen und -Volumen, um seine Verpflichtungen für 2026 zu vervollständigen.

LPDDR in Servern und eine schnellere GDDR7-Roadmap

Neben HBM hebt Micron zwei weitere Vektoren für beschleunigtes Rechnen hervor:

  • LPDDRAM für Server: Nachdem NVIDIA LPDDR in seiner neuesten Produktfamilie für Rechenzentren eingesetzt hat, ist Micron nach eigenen Angaben der einzige Anbieter von LPDRAM für diese Serverplattformen - ein ungewöhnlicher Rollentausch, der die Effizienz der mobilen Klasse in Racks und Pods bringt, wo die Speicherbandbreite pro Joule entscheidend ist.
  • GDDR7 für KI und Client-GPUs: Microns aktueller GDDR7-Speicher liegt bei 32 Gbit/s, die Roadmap sieht jedoch Pin-Geschwindigkeiten von über 40 Gbit/s vor. Diese Entwicklung treibt die Gesamtbandbreiten voran, die für Spiele mit großen FPS und KI-Karten der Mittelklasse benötigt werden, die ein einfacheres PCB-Routing gegenüber der 2,5D-Komplexität von HBM bevorzugen.

Micron HBM4 RoadmapMicron HBM4 Roadmap (Bild © Micron)

1-Gamma-DRAM und G9-NAND

Micron sagt, dass sein 1-Gamma (1γ)-DRAM-Knoten rund 50 % schneller ausgereift ist als die vorherige Generation, ein Fertigungstempo, das die kurzfristigen DRAM-Kostenkurven unterstützt. Bei NAND wird die G9-Generation in den Bereichen TLC und QLC hochgefahren, wobei die höhere Dichte mit Controller- und Firmware-Updates für gemischte KI-/Speicher-Workloads kombiniert wird.

An der Speicherfront ist Micron der Erste Hersteller, der PCIe Gen6 SSDs für Rechenzentren auf den Markt bringt. Dies ist ein zukunftsweisender Schritt, der sich mit den CPU-Plattformen der nächsten Generation und den aufkommenden CXL-Einsätzen deckt. Erwarte weitere Produkte, die 16 Gb 1γ DRAM nutzen, wenn das Unternehmen sein Portfolio an Serverspeichern und Cachespeichern vervollständigt.