Ein weiterer wichtiger Fortschritt ist die RibbonFET-Technologie von Intel, die erste neue Transistorarchitektur seit FinFET im Jahr 2012. RibbonFET verwendet bandförmige Kanäle, die von Gates umgeben sind, was eine bessere Steuerung und höhere Treiberströme ermöglicht. Diese Technologie ermöglicht schnellere Transistorschaltgeschwindigkeiten, was zu einer höheren Leistung führen kann. Diese Nanoband-Kanäle können in ihrer Breite an verschiedene Anwendungen angepasst werden. Diese können dünner sein für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und breiter für Hochleistungsanforderungen.

Intel RibbonFET

PowerVia für Stromeffizienz ab 2024

Intel gab außerdem bekannt, dass seine PowerVia-Technologie jetzt produktionsreif ist und die ersten Produkte im Jahr 2024 erwartet werden. PowerVia strukturiert die Stromversorgung der Transistoren innovativ um, indem es die Stromleitungen auf die Rückseite des Transistors verlegt. Dadurch wird der Strom effizienter verwaltet und die Signalleitungen werden nicht mehr behindert. Es verwendet Nano-Trough-Silicon-Vias (TSVs), die viel kleiner sind als herkömmliche TSVs.

Intel,PowerVia

Weitere Forschung und Produktion

Darüber hinaus hat Intel Silizium und Galliumnitrid (GaN) integriert, um eine leistungsstarke, groß angelegte integrierte Schaltungslösung namens "DrGaN" für die Energieversorgung zu schaffen. Dies könnte die Anforderungen an die Leistungsdichte und Effizienz zukünftiger Computer erfüllen. Intel erforscht auch 2D-Kanalmaterialien aus Übergangsmetalldichalcogenid (TMD), die eine Skalierung der Gate-Längen von Transistoren unter 10 nm ermöglichen. Das Unternehmen plant, hochbewegliche TMD-Transistoren sowohl für NMOS- als auch für PMOS-Elemente zu demonstrieren, darunter den weltweit ersten 2D-TMD-PMOS-Transistor mit GAA-Gate und den ersten 2D-PMOS-Transistor auf einem 300-mm-Wafer, um die Grenzen der Transistordichte weiter zu verschieben.

PowerVia_Transistor

Damit gab Intel Einblicke in die aktuellen Entwicklungen und versucht damit auch das Vertrauen in die eigene Herstellung sowie Zukunftssicherheit weiter zu stärken.