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Samsung verbessert HBM2 Speicher

Samsung Flashbolt mit 16 GB HBM2E Chips mit höherer Leistung

Der HBM-Speicher ist noch lange nicht tot, zumindest wird er von Samsung weiter voran gebracht. Die dritte Generation soll die Bandbreite steigern und unter dem Namenszusatz 2E (HBM2E) laufen. Dabei verdoppelt Samsung die Kapazität pro Chip von 8 bei Aquabolt auf 16 Gigabyte beim Flashbolt.

Samsung Flashbolt 16-gb-hbm2e

Die Kapazität von 16 GB wird durch Stapeln von acht Lagen von 16-Gigabit-DRAM-Chips der 10-nm-Klasse (1y) auf einem Pufferchip erreicht. Dieses HBM2E-Gehäuse wird dann in einer präzisen Anordnung von mehr als 40.000 'Through Silicon Via'-Mikrobumps (TSV) miteinander verbunden, wobei jeder 16-Gb-Die über 5.600 dieser mikroskopisch kleinen Löcher enthält.

Auch die Datenraten von 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps) sprechen für Flashbolt. Dabei wird eine Speicherbandbreite von 410 GB/s pro Stack erreicht. Laut Samsung kann der HBM2E Übertragungsgeschwindigkeiten von 4,2 Gbps erreichen. Die maximal mögliche Bandbreite soll bei 538 GB/s pro Stack betragen. Im Vergleich dazu, hatte Aquabolt „nur“ 307 GB/s von pro Stack.

Die Serienproduktion soll laut Samsung bereits in der ersten Hälfte dieses Jahres anlaufen. Aquabolt-Produktreihe wird weiterhin vertrieben und mit Flashbolt koexistieren. Samsung sieht den Einsatzzweck des Speichers bei Hochleistungs-Computersystemen (HPC) und Supercomputer sowie hochmoderne Grafiksysteme. Bei Grafikkarten hat sich der Speicher bisher nicht durchgesetzt, zumal AMD wieder zu GDDR5 und GDDR6 gewechselt ist.

Quelle: Samsung

Welovetech