Heutige elektrische Geräte sind zumeist aus vielen Halbleitern (Transistoren) zusammengebaut, die wiederrum aus sogenannten Heterostrukturen bestehen. Eine Heterostruktur besteht aus strikt definierten Ebenen, die wiederum aus halbleitenden Materialien bestehen, zu denen Silizium und Germanium zählt. Dieser Idee zugrunde haben die Forscher versucht Nanowires mit solchen Ebenen herzustellen. Die heutzutage hergestellten Transistoren werden auf flachen Scheiben aus Silizium (Wafer) hergestellt, wogegen die Nanowires vertikal gezüchtet werden, wodurch eine geringere Basisfläche benötigt wird.  

  Die unter einem Elektronenmikroskop sichtbaren Nanowires bestehen aus einem in der Vakuumkammer erhitzten Gold-Aluminium-Gemisch. Nachdem das Gemisch geschmolzen ist, wird Siliziumgas zugeführt, welches dann von der Masse absorbiert wird. Das Gemisch wird durch das Siliziumgas übersättigt, wonach eine Ader (wire) aus dem Gemisch wächst. Auf der Spitze dieser Ader befindet sich ein pilzartiges Gold-Alumiunm-Gemisch. Zwischenzeitig wird die Temperatur in der Vakuumkammer gesenkt, wodurch das Nanowire erhärtet. In diesem Stadium kann sich Germanium absetzen und dadurch die Heterostruktur bilden. Dabei wären wir wieder bei der Heterostruktur, die den Transistor ausmacht und durch das Germanium Gate die Schaltfunktion ermöglicht.   Eric Stach, Dozent für Materials Engineering an der Universität Purdue äußerte, dass die Herstellung von Nanowires erst noch für die Industrie standardisiert werden muss, bevor Transistoren auf dieser Basis produziert werden können.   Quelle: Universität Purdue