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Samsung DDR3 Green Memory in 40 nm

Samsung ist seit Jahren im Speichersegment tätig und führt nun eine neue Kampagne durch, bei der die neuen DDR3 Chips beworben werden, die im 40 Nanometer Verfahren gefertigt werden. Erst Anfang dieses Jahres gab Konkurrent Hynix bekannt, dass man auf die 40 nm Fertigung umsteigt. Samsung führt nun die Markteinführung durch und setzt dabei verstärkt auf die beiden Fakten 40 nm und 1,35 V dabei. Die Stromersparnis wird auf der speziell dafür eingerichteten Mini-Site am Beispiel von vielen Servern erläutert. Die bisherige JEDEC-Spezifizierung für DDR3 RAM liegt bei 1,5 V, wodurch man mit dem DDR3 RAM von Samsung eine 0,15 V Ersparnis realisiert.

  Die DDR3 Speicherriegel von Samsung werden mit 2 GB bestückt und ermöglichen so in normalen Systemen mit Dual-Channel 4 Gb, was marktüblich ist, auch wenn der Trend dank Konkurrenzkampf und Entwicklung zu höheren Kapazität geht. Laut Samsung wird durch die 40 nm Fertigung eine Erhöhung der Produktionsproduktivität von 60 Prozent erreicht im Vergleich zu 50 nm Fertigung. So setzt die Kampagne von Samsung verstärkt auf Server, auch wenn gleichzeitig Endverbraucher angesprochen werden. Der Speicher wird seit Juli produziert und man erwartet baldigen Einsatz der 40 nm DDR3 Chips nicht nur als 16 und 8 Gb Lösungen für den Desktop PC, sondern auch 4GB So-DIMMs (small outline dual in-line memory modules) für Notebooks und UDIMMs (unregistered in-line memory modules) für Workstations.   Quelle: Samsung; Green Memory Promotion

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