Die Technik basiert auf einem logischen Verfahren, das heißt, dass pro Speicherzelle genauso viele Speicherschaltungen integriert sind, wie bei herkömmlichen SLC Speicher. Der technische Unterschied liegt darin, wie viele Zellen zur Speicherung einer Information genutzt werden. Beim SLC Verfahren kann ein Speicherblock nur eine Information speichern, also 1 oder 0. Im MLC Verfahren nutzt man die gleichen DIEs, halbiert jedoch einfach die Anzahl der Speicherzellen pro Block, so dass auf gleichem Raum nun 4 Zustände gespeichert werden können.  


Beim dem heute von IM Flash vorgestelltem 3bpc Verfahren werden dem einzelnen Speicherblock nur ein Viertel so viele Speicherzellen zugeordnet, wodurch nun 8 Verschiedene Informationen auf gleichem Platz gespeichert werden können. Das man 8-mal mehr Informationen auf dem gleichen Raum speichern kann, läßt natürlich die Frage aufkommen, warum dann nicht alle Produkte im neuen Prozeß gefertigt werden.

Die Antwort ist rein technischer Natur:
Da wenige Speicherzellen pro Block vorhanden sind, steigen die Zugriffszeiten. Dies ist jedoch nicht das einzige Problem: Auch die Transfergeschwindigkeit sinken auf Grund der komplexeren Zugriffslogik, was die Speicher für High-End Anwendungen „unbrauchbar“ macht. Der gravierendste Nachteil ist jedoch die wesentlich geringere Lebensdauer, was aus der geringeren Anzahl der Speicherzellen gegenüber dem SLC oder MLC Verfahren resultiert.

Laut IM Flash soll die Technik bei großen Speichern eingesetzt werden, wo Leistung und Lebensdauer nicht an erster Stelle stehen. Als Beispiele werden USB Sticks, Compactflash, und SD Karten genannt, wo der Preis pro GB das allerwichtigste sei. Die Massenfertigung ist für das vierte Quartal 2009 eingeplant. 

Quelle: expreview.com; tcmagazine.com