Samsung will 1.000-Layer-NAND-Speicher für 1.000-Terabyte-SSDs produzieren

Das Unternehmen hat bereits bedeutende technologische Fortschritte gemacht, darunter die Einführung des V-NAND-Flashspeichers der 9. Generation mit 290 Schichten und die Ankündigung eines bahnbrechenden V-NAND-Speichers mit 430 Schichten, der nächstes Jahr auf den Markt kommen soll. Diese Innovationen sind wichtige Bestandteile von Samsungs Strategie, die Speicherkapazität von 1.000 Terabyte (TB) zu überschreiten.

Ein innovatives Material namens Hafnia Ferroelectrics könnte den Durchbruch bei der Erreichung dieses Ziels bedeuten. Auf dem VLSI Technology Symposium in Honolulu stellten Forscher/innen des Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) ihre Erkenntnisse über dieses Material vor, das aufgrund seiner einzigartigen ferroelektrischen Eigenschaften in der Computerbranche immer mehr Aufmerksamkeit erregt. Diese Eigenschaften könnten die Entwicklung kleinerer, effizienterer Kondensatoren und Speicherbausteine ermöglichen, die für die Erweiterung der Möglichkeiten der NAND-Technologie entscheidend sind.

Die KAIST-Forscher/innen stellten ihre Arbeit zur Integration von Hafnia-Ferroelektrika in Speicherbausteine vor und konnten dabei erhebliche Leistungsverbesserungen nachweisen. Ihre Studie zeigte, dass eine Kombination aus Ladungseinfang und ferroelektrischen Schalteffekten in einer speziell entwickelten Bauteilstruktur die Funktionalität der Bauteile verbessert. Dies führte zu niedrigeren Betriebsspannungen, einem deutlich erweiterten Speicherfenster und geringeren Störungen bei vorgespannten Spannungspegeln - Schlüsselfaktoren für den Fortschritt der NAND-Technologie.

Obwohl Samsung nicht direkt an der Forschung und Entwicklung dieser Technologie beteiligt ist, ist das Unternehmen eng mit den akademischen und technischen Entwicklungen verbunden, die auf dem Symposium vorgestellt wurden. Die Ergebnisse des KAIST deuten darauf hin, dass Hafnia Ferroelectrics die 3D VNAND-Technologie über ihre derzeitigen Grenzen hinaus vorantreiben und den Weg zum Erreichen und Überschreiten der Petabyte-Schwelle ebnen könnte.

Da Samsung weiterhin in diese fortschrittlichen Technologien investiert, wird das Erreichen einer Petabyte-SSD immer wahrscheinlicher. Dabei geht es nicht nur um die Erweiterung der Speicherkapazitäten, sondern auch darum, neue Maßstäbe für technologische Innovationen zu setzen, die die Datenspeicherung weltweit verändern könnten.