Bei den bisherigen resistiven Speichern (kurz genannt ReRAM) mit Memristoren gab es das Problem, dass der Strom in einigen Fällen statt durch den gewünschten Memrister mit hohen Widerstand, durch einen benachbarten mit niedrigen Widerstand floss. Dadurch wurde entgegen des Ziels etwas zu speichern, die betroffene Zelle beispielsweise gelöscht.
Dieses Problem wurde nun durch das Forschungsteam der KAIST gelöst, wie Prof. Dr. Keon Jae Lee erklärte: es wurde dafür zu jeder Memristor-Zelle ein biegsamer Transistor aus Siliziumdioxid (SiO2) hinzugefügt. Dieser gibt den Stromfluss nur für die ausgewählte Zelle frei und verhindert somit Kriechpfade, die das Ergebnis verfälschen können.
Bis die neue Technologie allerdings ihre Marktreife erreicht und in die Serienfertigung geht, werden wohl noch einige Jahre vergehen. Vor allem liegt dies an der deutlichen geringeren Speicherdichte (bei gleicher Fläche etwa 100-mal weniger Speicherplatz für Daten), als auch in den Produktionskosten. Besonders im Bereich der Mobilgeräte wie Tablets oder Smartphones könnte diese Technologie interessant sein, da sich damit Platzprobleme reduzieren ließen.
Es scheint sich ein Trend abzuzeichnen, was flexible Komponenten angeht – so hat vor kurzen erst Samsung ein flexibles Display vorgesellt, was bereits 2012 auf dem Markt erscheinen könnte.
Quelle: KAIST