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Das Herzstück von Microns High-Bandwidth-Memory (HBM)-Lösung ist sein hochmoderner 1β (1-beta)-DRAM-Prozessknoten, der die Montage eines 24-Gb-DRAM-Die in einem 8-high -Würfel innerhalb der Standardgehäuseabmessungen ermöglicht. Darüber hinaus wird Microns 12-High-Stack mit einer Kapazität von 36 GB im ersten Quartal 2024 auf den Markt kommen. Micron bietet eine um 50% größere Kapazität pro Stapelhöhe als bestehende Lösungen der Konkurrenz. Das Verhältnis von Leistung zu Stromverbrauch und die verbesserten Pin-Geschwindigkeiten von Microns HBM3 Gen2 sind der Schlüssel zur Bewältigung der hohen Stromanforderungen moderner KI-Rechenzentren.
Als etablierter Marktführer im Bereich Speicher für 2,5D/3D-Stacking und fortschrittliche Gehäusetechnologien ist Micron stolz darauf, zur 3DFabric Alliance von TSMC beizutragen und künftige Halbleiter- und Systementwicklungen zu beeinflussen.
Micron nutzte seine globale technische Organisation, um dieses bahnbrechende Produkt zu entwickeln, wobei Design und Prozessentwicklung in den USA, die Speicherfertigung in Japan und das fortschrittliche Packaging in Taiwan stattfanden. Diese Ankündigung ist ein weiterer Beweis für Microns Technologieführerschaft in der Branche. Zuvor hatte Micron seine 1α (1-alpha) 24Gb monolithischen DRAM-Die-basierten 96GB DDR5-Module für Serverlösungen mit hohem Kapazitätsbedarf angekündigt und heute das 1β 24Gb Die-basierte 24GB HBM3-Angebot vorgestellt. In der ersten Hälfte des Jahres 2024 plant das Unternehmen die Markteinführung seiner monolithischen 1β-32-Gb-DRAM-Die-basierten 128-GB-DDR5-Module, die Microns bahnbrechende technologische Innovationen für KI-Server demonstrieren.
