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Dieses Produkt ist Microns erste mobile Lösung, die auf dem neuen 232-Layer-Triple-Level-Cell (TLC)-NAND basiert. Dieser soll 100% höhere Schreibbandbreite und eine 75% höhere Lesebandbreite erreichen. Microns 232-Layer-3D-NAND-Design weist mehr Bits pro Quadratmillimeter Silizium auf, indem es mehr Schichten des NAND-Bitzellen-Arrays stapelt, was zu einer höheren Dichte, Leistungsverbesserung und Kapazitätssteigerung führt. Dazu verwendet Micron eine Six-Plane-NAND-Architektur, die den zufälligen Lesedurchsatz erheblich verbessert und zu einer besseren Reaktionsfähigkeit, schnelleren App-Ladezeiten und einem insgesamt verbesserten Benutzererlebnis führt.
Neues in UFS 4.0
Der Speicher erreicht eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 4.300 Megabyte pro Sekunde (MBps) und eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 4.000 MBps, was die Leistung der vorherigen Generationen verdoppelt und es den Benutzern ermöglicht, schneller auf ihre bevorzugten Social-Media-Anwendungen zuzugreifen.
Dazu wird eine 25% höhere Energieeffinz, so dass Nutzer über längere Zeiträume mit datenintensiven Apps arbeiten können, ohne sich Gedanken über häufiges Aufladen machen zu müssen. Dazu wird eine um 10% niedrigere Schreiblatenz gegenüber der Konkurrenz erreicht. Herunterladen von zwei Stunden 4K-Streaming-Inhalten wird in weniger als 15 Sekunden erledigt, was doppelt so schnell ist wie die vorherige Generation.
UFS 4.0 Sampling hat begonnen
Micron versendet derzeit Muster seiner UFS 4.0-Speicherlösung mit Kapazitäten von 256 Gigabyte (GB), 512 GB und 1 TB an führende Mobilfunkhersteller und Chipsatzanbieter weltweit. Das Unternehmen plant, in der zweiten Hälfte des Jahres 2023 mit der Massenproduktion seiner UFS 4.0-Speicherlösung zu beginnen und das mobile Ökosystem mit dem hochleistungsfähigen mobilen Flash-Speicher zu versorgen, der für die kommende Welle von 5G- und KI-gestützten Flaggschiff-Smartphone-Erlebnissen erforderlich ist.
