SK hynix spezifiziert LPDDR5T DRAM-Speicher mit Turbo im Namen

LPDDR5T arbeitet im von der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) spezifizierten Ultra-Niederspannungsbereich von 1,01 bis 1,12 V. Es handelt sich um ein Produkt mit maximaler Geschwindigkeit und extrem niedrigem Stromverbrauch. Muster eines 16-Gigabit-(GB)-Mehrchip-Pakets, das mehrere LPDDR5T-Chips in einem Paket vereint, wurden angeblich von SK Hynix an Kunden verschickt. Der Chip hat eine Verarbeitungsgeschwindigkeit von 77 GB pro Sekunde, was der Übertragung von fünfzehn FHD-Filmen (Full-HD) in einer einzigen Sekunde entspricht.

In der zweiten Jahreshälfte will SK Hynix mit der Massenproduktion von LPDDR5T unter Verwendung von 1 anm, der vierten Generation der 10-nm-Technologie beginnen. Das HKMG-Verfahren (High-K Metal Gate) wurde von dem Unternehmen auch in das jüngste Produkt integriert, um die beste Leistung zu erzielen. Laut SK Hynix wird LPDDR5T, das die technologische Lücke erheblich vergrößert hat, voraussichtlich "den Markt vor der Einführung der nächsten Generation LPDDR6 anführen".