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Micron schickt 30 nm Speicher in Massenproduktion

Nur mit genügend Arbeitsspeicher ausgestattet können leistungsstarke Prozessoren und Grafikkarten ihre volle Leistung entfallten, doch auch die Geschwindigkeit zählt zu den ausschlaggebenden Faktoren. Micron, Speicherspezialist mit über 30 Jahren Erfahrung, hat nun angekündigt mit seinen neusten Speicherbausteinen vom Prototyping in die Massenproduktion zu wechseln.

Die neuen Speicherchips werden im 30 nm Prozess hergestellt und bieten eine erhöhte Speicherbandbreite sowie eine weiter reduzierte Leistungsaufnahme, um im Trend zu immer dünneren Geräten wie Intels Ultrabooks mithalten zu können. Die in 2 GB und 4 GB erhältlichen Chips mit einem Takt von 1.066 MHz (2.133 MHz effektiv) bieten dank ihrer enormen Speicherdichte pro Chip ein hervorragendes Preis/Leistungsverhältnis, was diese Art von DRAM zu den Mainstreamprodukten in diesem und im nächsten Jahr machen werde, so Robert Feurle, stellvertretender Leiter der DRAM Sparte von Micron Semiconders.

Mit einer auf 1,5 Volt gesenkten Betriebsspannung bieten sie eine 33% höhere Bandbreite als Standard DDR3-1600, jedoch bei einer um 20% gesenkten Leistungssaufnahme. Als enger Entwicklungspartner von AMD Graphics und LSI wurden die Module kompatibel zu bisherigen Fabrikaten gestaltet, so dass Hersteller und Boardpartner die neuen Speichermodule schnell und einfach in kommende Produkte integreieren können. Gerade in der engen Zusammenarbeit mit seinen Kunden von der Entwicklung an bis zum fertigen Produkt sieht Micron Semiconders eine Stärken, welche sich in ausgereiften Produkten und kosteneffizienten Bauteilen widerspiegelt.

Quelle: Pressemitteilung

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