Gleichzeitig will man den Stromverbrauch der Module um bis zu 20 % senken, was in Verbindung mit dem neuen 40 nm Prozess, der bereits bei Samsung DDR3 Green Memory erste Erfolge zeigte, sicher noch gesteigert werden kann. Dazu nutzt man DDR3 Geräte mit Industrie Standard und eine konventionelle Modul-Infrastruktur. Die neue Technologie verspricht eine höhere Effizienz, da man einzelne Module in mehrere unabhängige Kanäle einteilt, die sich jedoch einen gemeinsamen Befehl/Adress Port teilen.

 

Die neuen "Threaded Modules" sind in der Lage 64-Byte Übertragungen bei voller Auslastung des Buses zu gewährleisten, wodurch man die eben erwähnte 50-prozentige Steigerung hervorruft. Die erhöhte Effizienz kommt daher, dass die DRAM Chips nur ungefähr halb so oft aktiviert werden, wie bei herkömlichen Modulen. Eine erste Demonstration soll nächste Woche zum Intel Developer Forum stattfinden. Sollte es Neuigkeiten gebe,n berichten wir selbstverständlich darüber.

 

Quelle: expreview.com