Toshiba Corporation hat eine neue Generation von Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) vorgestellt. FeRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, welcher die schnellen operativen Merkmale von DRAM mit den Eigenschaften von Flash-Speicher, welcher die Daten bei fehlender Stromversorgung nicht verliert, kombiniert. Bekannt ist diese Technik schon von EEPROMS, jedoch ist dieser dem FeRAM 100.000x in der Geschwindigkeit unterlegen. Die aktuelle, moderne Technik wird seine Anwendungsbereiche in Mobiltelefonen und Verbraucherprodukten wie mobile PCs und SSDs finden.

Toshiba stellt mit seinen neuen Speicherchips einen neuen Geschwindigkeitsrekord auf, ebenso verfügt der Speicher über eine sehr hohe Datenanbindung und eine gute Speicherdichte. Der vorgestellte Chip umfasste eine Kapazität von 16 Mb (128 Megabit) und...

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Ich muss sagen, dass es eine sehr spannende Sache ist, die theoretischen Werte sind schon sehr spannend. Würde gerne echte Praxiswerte sehen, eventuell zeihen die ja ein Muster dann bald aus der Tasche. Der Preis ist der Faktor, wo es oftmals scheitert...mal abwarten, was die auf der International Solid-State Circuits Conference 2009 vorstellen werden.